该场效应晶体管的工作原理是，漏源通过信道id并控制由门和信道id之间的pn结形成的反向偏置栅极电压。更确切地说，通过信道的id的宽度，即信道的横截面，由pn结的变化控制，从而控制耗尽层扩展的变化。VGS = 0在非饱和区，表示过渡层的膨胀是因为大的漏磁场，根据附加VDS源头，一些电子源区和漏出来的漏源电流ID。
从栅极延伸到漏极的多余层形成被阻塞的通道的一部分，并且是饱和的。这种状态称为夹断。这意味着过渡层阻塞了通道的一部分，而不是切断当前的电流。
在过渡层中，由于电子和空穴的自由运动，在理想状态下绝缘几乎是理想的，而且电流通常很难流动。但在这一点上，漏极和源极之间的电场实际上是与漏极和下极相接触的两个过渡层。穿过漂移电场的高速电子穿过过渡层。由于漂移电场的强度几乎恒定，所以产生了饱和现象。其次，VGS在负方向上的变化，使VGS = VGS（关闭），在这一点上，过渡层大致成为覆盖整个区域的状态。此外，大多数的VDS的电场增加过渡层，和电场，电子把向漂移的只有一小部分靠近源，进一步防止电流流动。
场效应晶体管（FET），简称场效应晶体管（FET）。有两种主要类型（结、场效应晶体管结型场效应管）和半导体场效应晶体管FET（金属氧化物）。
场效应晶体管由多数载流子控制，属于压控半导体器件。具有高输入电阻（107～1015）、低噪声、低功耗、大动态范围、易于集成、无二次击穿现象、安全工作区宽等优点，已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争对手。
场效应晶体管（FET）是一种通过控制输入电路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件。因为它只依赖于半导体中的大多数载流子，也称为单极晶体管。
MOS场效应晶体管，也称为场效应晶体管，简称金属、氧化物、半导体、Field、晶体管（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它通常有两种耗尽型和增强型。在本文中，增强型MOS场效应晶体管的内部结构如图5所示。它可以分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N槽型，PNP也称为P槽型。结果表明，源极和漏极的N沟道场管连接到n型半导体，源极和漏极的p沟道效应管与p型半导体连接。我们知道，一般三极管由输入电流控制，以输出电流。但对于场效应晶体管，输出电流是由输入电压（或电场）控制的，输入电流非常低或没有输入电流，这使得器件具有很高的输入阻抗，这也被称为场效应晶体管的原因。该场效应晶体管的工作原理是，漏源通过信道id并控制由门和信道id之间的pn结形成的反向偏置栅极电压。更确切地说，通过信道的id的宽度，即信道的横截面，由pn结的变化控制，从而控制耗尽层扩展的变化。VGS = 0在非饱和区，表示过渡层的膨胀是因为大的漏磁场，根据附加VDS源头，一些电子源区和漏出来的漏源电流ID。
从栅极延伸到漏极的多余层形成被阻塞的通道的一部分，并且是饱和的。这种状态称为夹断。这意味着过渡层阻塞了通道的一部分，而不是切断当前的电流。
在过渡层中，由于电子和空穴的自由运动，在理想状态下绝缘几乎是理想的，而且电流通常很难流动。但在这一点上，漏极和源极之间的电场实际上是与漏极和下极相接触的两个过渡层。穿过漂移电场的高速电子穿过过渡层。由于漂移电场的强度几乎恒定，所以产生了饱和现象。其次，VGS在负方向上的变化，使VGS = VGS（关闭），在这一点上，过渡层大致成为覆盖整个区域的状态。此外，大多数的VDS的电场增加过渡层，和电场，电子把向漂移的只有一小部分靠近源，进一步防止电流流动。
场效应晶体管（FET），简称场效应晶体管（FET）。有两种主要类型（结、场效应晶体管结型场效应管）和半导体场效应晶体管FET（金属氧化物）。
场效应晶体管由多数载流子控制，属于压控半导体器件。具有高输入电阻（107～1015）、低噪声、低功耗、大动态范围、易于集成、无二次击穿现象、安全工作区宽等优点，已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争对手。
场效应晶体管（FET）是一种通过控制输入电路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件。因为它只依赖于半导体中的大多数载流子，也称为单极晶体管。
MOS场效应晶体管，也称为场效应晶体管，简称金属、氧化物、半导体、Field、晶体管（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它通常有两种耗尽型和增强型。在本文中，增强型MOS场效应晶体管的内部结构如图5所示。它可以分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N槽型，PNP也称为P槽型。结果表明，源极和漏极的N沟道场管连接到n型半导体，源极和漏极的p沟道效应管与p型半导体连接。我们知道，一般三极管由输入电流控制，以输出电流。但对于场效应晶体管，输出电流是由输入电压（或电场）控制的，输入电流非常低或没有输入电流，这使得器件具有很高的输入阻抗，这也被称为场效应晶体管的原因。