肖特基二极管（Schottky Diode）和快恢复二极管（Fast Recovery Diode, FRD）在多个方面存在显著的区别，这些区别主要体现在结构、工作原理、特性以及应用上。

一、结构与工作原理

• 肖特基二极管：
  • 结构：由金属和半导体材料接触形成，通常称为金属-半导体结二极管。
  • 工作原理：基于金属与半导体接触界面形成的肖特基势垒进行工作。当正向电压施加时，电子从半导体流向金属，形成正向电流；反向电压施加时，由于势垒的存在，电流很小，形成反向截止。
• 快恢复二极管：
  • 结构：虽然也采用PN结结构，但内部材料和结构经过特殊设计，以实现快速恢复速度。通常包含一个PN结和一个PPI（Passivated Planar Intersection）结构。
  • 工作原理：基于PN结的正向偏置和反向偏置特性进行工作。当正向偏置时，PN结导通，形成正向电流；反向偏置时，PN结迅速恢复截止状态，反向电流迅速减小至零。

二、特性差异

1. 正向压降：
   • 肖特基二极管：具有较低的正向压降，通常在0.3V至0.6V之间，远低于普通二极管的0.5V或更高。
   • 快恢复二极管：正向压降略高于肖特基二极管，但通常也在1V以下，比传统PN结二极管低。
2. 反向恢复时间：
   • 肖特基二极管：具有非常短的反向恢复时间，通常在几纳秒到几十纳秒之间，这使得它非常适合高频和快速开关应用。
   • 快恢复二极管：虽然恢复时间比传统PN结二极管快得多，但通常仍在微秒级别（几百纳秒至几微秒），相对肖特基二极管较长。
3. 频率响应：
   • 肖特基二极管：由于其低正向压降和快速开关速度，频率响应高，适合高速开关应用。
   • 快恢复二极管：虽然频率响应也较好，但在高频应用中可能受到其内部结构和电场控制的限制。
4. 温度稳定性：
   • 肖特基二极管：对温度的变化较为敏感，随着温度的升高，正向压降可能会增加，导致性能下降。
   • 快恢复二极管：对温度的变化相对不敏感，能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能。
5. 其他特性：
   • 肖特基二极管还具有低功耗、低噪声和高电压抗击穿等特点。
   • 快恢复二极管则具有较高的反向电流容忍度和较低的导通电阻，适用于处理高电流的应用。

三、应用差异

• 肖特基二极管：
  • 特别适用于高频电路、低功耗应用以及需要快速开关的场合，如射频调制解调器、功率放大器、开关电源等。
  • 其低功耗和低噪声特性也使其在微波和射频电路中表现出色。
• 快恢复二极管：
  • 适用于高温环境、能量转换电路以及需要快速恢复特性的场合，如逆变电源、开关电源中的整流元件、PWM脉宽调制器、变频器等。
  • 其高反向电流容忍度和低导通电阻使其能够处理较大的电流，适用于高功率电子设备。

综上所述，肖特基二极管和快恢复二极管在结构、工作原理、特性以及应用上均存在显著差异。在选择使用哪种二极管时，需要根据具体的应用需求和电路设计要求进行综合考虑。