肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）的工作原理主要基于金属与半导体接触界面上形成的肖特基势垒（Schottky Barrier）。这种势垒是由于金属和半导体之间的功函数差异而产生的。功函数是电子从固体内部逸出到真空所需要的最小能量，不同材料的功函数不同。

当金属与半导体（通常是N型半导体）接触时，由于金属的功函数通常小于半导体的功函数，电子会从半导体流向金属，直到两者之间的费米能级（Fermi Level）达到平衡。这个过程中，半导体表面会形成一个耗尽层（Depletion Layer），其中的电子被金属吸引走，留下不能移动的正离子，形成一个空间电荷区。这个空间电荷区就构成了肖特基势垒。

肖特基势垒具有整流特性，即只允许单一方向的电流通过。具体来说，当外加正向电压（即金属端为正，半导体端为负）时，外加电场会削弱势垒，使得电子更容易从半导体流向金属，形成正向电流。而当外加反向电压（即半导体端为正，金属端为负）时，外加电场会增强势垒，阻止电子从半导体流向金属，反向电流非常小（但并非完全为零，因为存在热激发电子和隧穿效应等）。

肖特基二极管的正向导通压降（Forward Voltage Drop）较低，通常只有0.2V到0.4V左右，远低于传统PN结二极管的0.6V到0.7V。这使得肖特基二极管在正向导通时功耗较低，特别适合用于高频、低压、大电流的应用场合。

此外，肖特基二极管的反向恢复时间（Reverse Recovery Time）非常短，可以达到纳秒级别，因此也适用于高频开关电路。但是，肖特基二极管的反向击穿电压（Reverse Breakdown Voltage）相对较低，因此在需要高反向电压的应用中需要谨慎选择。