肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）的内部结构相对复杂，但主要由以下几个关键部分组成：

一、基本构成元素

肖特基二极管的整体结构由金属和N型半导体组成，具体包括以下部分：

1. 阳极：
   • 阳极金属：通常由金、银、铝、钼等贵金属或其合金制成，作为阻挡层。
   • 二氧化硅（SiO2）电场消除材料：用于消除边缘区域的电场，提高二极管的反向耐压值。
2. 阴极：
   • N-外延层：由低掺杂的N型半导体材料（如砷化镓、硅等）构成，作为肖特基势垒形成的主要区域。
   • N型硅基片：提供稳定的半导体基底，支撑整个结构。
   • N+阴极层：高掺杂的N型半导体层，用于减小阴极接触电阻。
   • 阴极金属：与N+阴极层相连，提供与外部电路的连接点。

二、肖特基势垒的形成

在N型基片和阳极金属之间，由于金属和半导体之间的功函数差异，会形成肖特基势垒。这个势垒是肖特基二极管具有整流特性的关键所在。当外加电压作用于肖特基二极管时，势垒的宽度和高度会发生变化，从而影响二极管的导电性能。

三、工作原理

• 正向偏置：当阳极接电源正极，N型基片接电源负极时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小，允许电流从阳极流向阴极，形成正向电流。
• 反向偏置：当阳极接电源负极，N型基片接电源正极时，肖特基势垒层变宽，其内阻变大，阻止电流从阴极流向阳极，但会有少量的漏电流存在。

四、封装形式

肖特基二极管主要有两种封装形式：

1. 有引线封装：通过引线与外部电路相连，适用于需要较大安装空间的场合。
2. 表面安装（贴片式）：体积小、重量轻、安装方便，适用于高密度集成的电子设备中。

综上所述，肖特基二极管的内部结构通过精心设计的金属和半导体层组合，形成了具有整流特性的肖特基势垒。这种结构使得肖特基二极管在高频、低压、大电流的应用场合中具有独特的优势。