肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）的漏电流是其在反向偏置状态下出现的一种电流现象。这种漏电流主要由以下几个因素造成：

一、反向偏置下的漏电流机制

1. 热电子发射：
   • 当肖特基二极管处于反向偏置时，金属-半导体接触界面会形成势垒。随着反向偏压的增大，虽然理论上势垒应增大，但由于热电子发射效应，部分电子会获得足够的能量越过势垒，形成漏电流。这种漏电流与肖特基势垒高度和温度密切相关，是漏电流的主要组成部分之一。
2. 镜像力效应：
   • 在高反向偏压下，肖特基势垒二极管中存在镜像力效应。当半导体体内的一个电子靠近金属时，会在金属中形成一个镜像正电荷，两者之间的引力使半导体中的电子产生一个负电势能。这个负电势能与肖特基势垒正电势结合，会降低势垒高度，从而导致漏电流增大。这种效应在反向偏压较高时尤为明显。
3. 空间电荷区内的电流：
   • 在反向偏置下，肖特基二极管的空间电荷区内也会产生一定的电流。虽然这部分电流相对较小，但在高反向偏压下也可能对总漏电流产生贡献。

二、影响漏电流的因素

1. 反向偏压：
   • 反向偏压是影响肖特基二极管漏电流的主要因素之一。随着反向偏压的增大，漏电流通常会迅速增大。这是因为反向偏压不仅增强了热电子发射效应，还加剧了镜像力效应和空间电荷区内的电流产生。
2. 温度：
   • 温度对肖特基二极管的漏电流也有显著影响。高温环境下，金属和半导体之间的势垒高度降低，电子的热激发和电离增多，从而导致漏电流增大。
3. 材料质量：
   • 肖特基二极管的漏电流还与其材料质量密切相关。金属表面污染、界面缺陷等因素都可能导致漏电流增大。因此，在制备过程中需要严格控制材料质量和工艺条件。

三、减小漏电流的措施

1. 优化材料选择和工艺设计：
   • 选择物理性质相近的金属和半导体材料，通过特殊工艺降低界面缺陷密度等方法来减少漏电流。
2. 控制工作温度：
   • 在实际应用中合理选择工作温度范围，避免在高温环境下长时间工作以减少温度效应对漏电流的影响。
3. 采用散热装置：
   • 在需要高功率工作的场合下采用散热装置来降低器件温度从而降低漏电流。

综上所述，肖特基二极管的漏电流是由多种因素共同作用的结果。在实际应用中需要根据具体需求选择合适的器件型号和参数，并采取有效的措施来减小漏电流以提高器件的性能和可靠性。