肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）作为一种重要的半导体器件，在低压、大电流、高频等应用场合具有显著优势。然而，它也存在一些明显的缺点，主要包括以下几个方面：

1. 反向偏压较低

肖特基二极管的反向偏压额定值相对较低，一般不超过100V，某些使用硅及金属为材料的肖特基二极管，其反向偏压额定耐压最高只到50V。这意味着在高电压应用场合下，肖特基二极管可能无法胜任，或者需要采取额外的保护措施来确保其正常工作。

2. 反向漏电流偏大

肖特基二极管的反向漏电流是其另一个主要缺点。反向漏电流的大小依赖于反向电压和结点温度，随着温度和反向电压的增加，漏电流会显著增大。这种正温度特性使得在高温环境下，肖特基二极管的反向漏电流容易急剧变大，可能导致热失控的隐忧。因此，在实际应用中，需要特别注意肖特基二极管的散热问题，并避免在过高的温度下使用。

3. 实际应用中的限制

由于肖特基二极管的反向偏压和反向漏电流等缺点的存在，它在实际应用中受到一定的限制。例如，在需要高电压、低漏电流的应用场合下，可能需要选择其他类型的二极管（如PN结二极管）来替代肖特基二极管。此外，为了避免热失控等问题，肖特基二极管在实际使用时的反向偏压通常需要远低于其额定值。

4. 制造工艺和成本

虽然随着工艺技术和肖特基二极管技术的进步，其反向偏压的额定值也在不断提高，但制造工艺的复杂性和成本仍然是需要考虑的因素。高性能的肖特基二极管需要更先进的制造工艺和更优质的材料来保证，这可能会增加其生产成本。

综上所述，肖特基二极管在低压、大电流、高频等应用场合具有显著优势，但其反向偏压较低、反向漏电流偏大等缺点也限制了其在某些场合下的应用。因此，在选择肖特基二极管时，需要根据具体的应用需求和环境条件进行综合考虑。